香港7月30日电 (记者 刘大炜)香港科技园公司与麻省光子手艺(香港)有限公司30日签署相助协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于立异园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线。

　　氮化镓(GaN)是一种坚硬且很是稳固的第三代半导体质料，可在高温顺高电压下举行长时间运作。此次在港设立的研发中心，将聚焦开发8寸氮化镓外延片工艺及装备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。相关中试线将耗资2亿港元，设立投产后，会举行氮化镓外延片的小批量生产。

　　香港特区政府立异科技及工业局局长孙东在当天运动上致辞指出，香港要因地制宜生长新质生产力，须施展好香港的国际化优势和雄厚的科研实力，支持优势科技工业在港生长，而第三代半导体就是香港近年来重点生长的科技领域。氮化镓外延工艺是生长第三代半导体的要害手艺，能够优化产品性能，提升稳固性，为行业带来革命性突破。

　　孙东提到，特区政府正以工业导向为原则，起劲推进微电子工业生长。香港微电子研发院将于年内建设，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助首创、中小企业举行试产、测试和认证，增进产、学、研在第三代半导体焦点手艺上的相助。

　　香港科技园公司行政总裁黄克强也体现，此次相助将成为香港微电子工业及新型工业化生长的主要里程碑，发动整个第三代半导体工业链结构，香港微电子创科生态会更为蓬勃。(完) AYIOEQ8QEEE